შეწირულობა 15 სექტემბერს 2024 – 1 ოქტომბერს 2024
თანხის შეგროვების შესახებ
წიგნების ძებნა
წიგნები
შეწირულობა:
71.6% ამოწურულია
შესვლა
შესვლა
ავტორიზებულ მომხმარებლებს აქვთ წვდომა:
პერსონალური რეკომენდაციები
Telegram ბოტი
ჩამოტვირთვის ისტორია
გაგზავნეთ Email-ზე ან Kindle-ზე
კრებულების მართვა
შენახვა რჩეულებში
პირადი
წიგნის მოთხოვნა
შესწავლა
Z-Recommend
წიგნების სარჩევი
ყველაზე პოპულარული
კატეგორია
მონაწილეობა
დახმარება
ატვირთვები
Litera Library
ქაღალდის წიგნების შეწირვა
ქაღალდის წიგნების დამატება
Search paper books
ჩემი LITERA Point
საკვანძო სიტყვების ძებნა
Main
საკვანძო სიტყვების ძებნა
search
1
Наноэлектроника. Элементы. Приборы. Устройства: учебное пособие
Бином. Лаб. знаний
Г. Г. Шишкин
,
И. М. Агеев
рис
электронов
тока
ток
приборы
перехода
области
раздел
носителей
наноэлектронные
энергии
электрона
напряжения
основе
рисунке
gaas
поля
свойства
происходит
типа
вах
определяется
физические
структуры
транзистора
магнитного
электроны
квантовых
переход
поверхности
проводимости
состояния
энергия
наноэлектроники
ния
счет
напряжение
основы
значения
транзисторов
базы
квантовой
поле
состояний
область
переходов
заряда
результате
слоя
канала
წელი:
2020
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 5.99 MB
თქვენი თეგები:
0
/
0
russian, 2020
2
Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства: учебное пособие
ЭБС Лань
Шишкин Г.Г.
,
Агеев И.М.
рис
электронов
тока
ток
приборы
перехода
области
раздел
носителей
наноэлектронные
энергии
электрона
напряжения
основе
рисунке
gaas
поля
свойства
происходит
типа
вах
определяется
физические
структуры
транзистора
магнитного
электроны
квантовых
переход
поверхности
проводимости
состояния
энергия
наноэлектроники
ния
счет
напряжение
основы
значения
транзисторов
базы
квантовой
поле
состояний
область
переходов
заряда
результате
слоя
канала
წელი:
2020
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 4.98 MB
თქვენი თეგები:
0
/
5.0
russian, 2020
3
Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства : учебное пособие
Лаборатория знаний
Шишкин Г.Г.
рис
электронов
тока
ток
приборы
перехода
области
раздел
носителей
наноэлектронные
энергии
электрона
напряжения
основе
рисунке
gaas
поля
свойства
происходит
типа
вах
определяется
физические
структуры
транзистора
магнитного
электроны
квантовых
переход
поверхности
проводимости
состояния
энергия
наноэлектроники
ния
счет
напряжение
основы
значения
транзисторов
базы
квантовой
поле
состояний
область
переходов
заряда
результате
слоя
канала
წელი:
2020
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 5.70 MB
თქვენი თეგები:
0
/
0
russian, 2020
1
მიჰყევით
ამ ბმულს
ან Telegram-ში მოძებნეთ „@BotFather“ ბოტი
2
გაგზავნეთ ბრძანება /newbot
3
შეიყვანეთ თქვენი ბოტის სახელი
4
შეიყვანეთ მომხმარებლის სახელი ბოტისთვის
5
დააკოპირეთ BotFather-ისგან ბოლო შეტყობინება და ჩასვით აქ
×
×